简介： 本发明涉及一种低内阻的半导体器件制造方法，特别涉及对双极型集成电路IC和双极型的二极管、三极管以及晶闸管。本发明降低内阻的原理是针对三极管发射区表面粗化处理后，被粗化处理表面正好与图形的周长相同，载流子实现了全部渡越，从而可以理解成得到了效率很高的流入，也就是表面图形从等价角度达到了极端细化的相同效果，遵照以往的理论描述，载流子注入所需的图形周长，均要伸长到极限为止！本发明1.由于注入效率的提高，可以相应减小接点面积2.不仅可以应用于深结半导体器件，特别适用于有必要的浅结型半导体器件3.可以使半导体的内阻变小，即ON（导通抗阻）变小4.适用于有肖特基势垒的半导体器件5.尤其在双极型IC或分立器件的发射区使用时，由于空穴及电子的注入效率显著提高，可以使发射区面积达到最小化。