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【项目名称】:具有地内阻的半导体器件有源区表面粗化处理方法 
+ 关注  发布时间: 2022-03-07
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关注 75 浏览 1599
合作说明:
暂无
合作方式: 未知
项目领域: 信息技术
项目阶段: 研究阶段
创新来源: 未知
发布单位:
单位编号:dwc2400
单位名称:******
联系人:谢**
邮箱:74******om
联系方式: 13******84
联系地址: 未填写
项目简介
 本发明涉及一种低内阻的半导体器件制造方法,特别涉及对双极型集成电路IC和双极型的二极管、三极管以及晶闸管。本发明降低内阻的原理是针对三极管发射区表面粗化处理后,被粗化处理表面正好与图形的周长相同,载流子实现了全部渡越,从而可以理解成得到了效率很高的流入,也就是表面图形从等价角度达到了极端细化的相同效果,遵照以往的理论描述,载流子注入所需的图形周长,均要伸长到极限为止!本发明1.由于注入...

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